FDD120AN15A0技术资料：MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：2,500系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：150V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：120毫欧@4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：770pF@25V功率-最大值：65W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252AA
